FGH60N60SMD IGBT транзистор, TO-247, 120 А, 600 В
90 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 150 ₴
- Нет в наличии
- Код: FGH60N60SMD
FGH60N60SMD IGBT транзистор, TO-247, 120 А, 600 ВНет в наличии
90 ₴
+380 (99) 324-95-24
- +380 (97) 324-95-24
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 600
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 47
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 270
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 189
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
Информация для заказа
- Цена: 90 ₴