Тип транзистора: IGBT
Маркировка: K50T60
Тип управляющего канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 333
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 29
Тип корпуса: ТО247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 80 А |
Информация для заказа
- Цена: 90 ₴




