Наименование: FGH60N60SFD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 378
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 120
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 42
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 350
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 198
Тип корпуса: ТО247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
Информация для заказа
- Цена: 80 ₴


