Наименование: FGH80N60FD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 290
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 56
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120
Тип корпуса: ТО247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 80 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 290 Вт |
Информация для заказа
- Цена: 90 ₴



