Наименование: FGL40N120AND
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 500
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 64
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 370
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 25
Тип корпуса: TO264
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимый ток коллектора | 64 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 500 Вт |
Информация для заказа
- Цена: 240 ₴



