Наименование: FGA15N120ANTD
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 186
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1200
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 30
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 8.5
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 20
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 143
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 120
Тип корпуса: TO3P
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Максимально допустимый ток коллектора | 30 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 186 Вт |
Информация для заказа
- Цена: 40 ₴



