Найменування приладу: FHP8N60C
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 100 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 600 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 30 V
Порога напруга увімкнення Ugs(th) : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 8 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 29 nC
Час наростання (tr): 21 ns
Вихідна ємність (Cd): 110 pf
Опір стік-виток відкритого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпусу: TO-220
Тип транзизора: MOSFET
Полярність: N
Максимальна розсіювана потужність (Pd): 100 W
Гранично допустима напруга стик-висток Uds : 600 V
Гранично допустима напруга затвор-висток Ugs : 30 V
Порога напруга увімкнення Ugs(th) : 4 V
Максимально допустимий постійний струм стоку Id : 8 A
Максимальна температура каналу (Tj): 150 °C
Загальний заряд затвора (Qg): 29 nC
Час наростання (tr): 21 ns
Вихідна ємність (Cd): 110 pf
Опір стік-виток відкритого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпусу: TO-220
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Країна виробник | Китай |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 100 Вт |
| Виробник | PD |
Інформація для замовлення
- Ціна: 35 ₴


