Транзистор FHP8N60C
35 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 150 ₴
- Нет в наличии
- Код: FHP8N60C
Транзистор FHP8N60CНет в наличии
35 ₴
+380 (99) 324-95-24
- +380 (97) 324-95-24
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Наименование прибора: FHP8N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 100 Вт |
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 35 ₴