Найменування: MGD623S
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна потужність (Pc), W: 150
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 30
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 50
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.8
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типова (tr), nS: 100
Ємність колектора типова (Cc), pf: 150pf
Тип корпуса: TO3P
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N-Channel
Максимальна потужність (Pc), W: 150
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 30
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 50
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.8
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типова (tr), nS: 100
Ємність колектора типова (Cc), pf: 150pf
Тип корпуса: TO3P
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | SanKen |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 50 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
Інформація для замовлення
- Ціна: 130 ₴


