Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 28.04)

+380 (99) 324-95-24
+380 (97) 324-95-24
тел. +380993249524 (Vodafone) / +380973249524 (Kyivstar)
Корзина

Транзистор TGAN30N135FD1

120 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 150 ₴

  • Готово к отправке
  • Код: 30N135FD1
Транзистор TGAN30N135FD1
Транзистор TGAN30N135FD1Готово к отправке
120 ₴
+380 (99) 324-95-24
  • +380 (97) 324-95-24
+380 (99) 324-95-24
  • +380 (97) 324-95-24
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: TGAN30N135FD1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 329
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 14
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 85
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
   Тип корпуса: TO3PN
Характеристики
Основные
Страна производительКитай
Тип транзистораПолевой
Максимально допустимый ток коллектора60 А
Максимальная мощность рассеивания329 Вт
ПроизводительSAT
Информация для заказа
  • Цена: 120 ₴