
Транзистор TGAN30N135FD1
120 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 150 ₴
- Готово к отправке
- Код: 30N135FD1
+380 (99) 324-95-24
- +380 (97) 324-95-24
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: TGAN30N135FD1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 329
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 14
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 85
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
Тип корпуса: TO3PN
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 329
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1350
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 25
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.9
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
Время нарастания типовое (tr), nS: 14
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 85
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
Тип корпуса: TO3PN
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимый ток коллектора | 60 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 329 Вт |
| Производитель | SAT |
Информация для заказа
- Цена: 120 ₴

