Транзистор G50N60T (IGW50N60T)
70 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 150 ₴
- Готово к отправке
- Код: G50T60
Транзистор G50N60T (IGW50N60T)Готово к отправке
70 ₴
+380 (99) 324-95-24
- +380 (97) 324-95-24
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Наименование: IGW50N60T
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G50T60
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 333
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 90
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 29
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 310
Тип корпуса: TO247
Тип транзистора: IGBT
Маркировка: G50T60
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 333
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 90
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.7
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 29
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 200
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 310
Тип корпуса: TO247
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Страна производитель | Китай |
| Тип транзистора | Полевой |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 90 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 333 Вт |
Информация для заказа
- Цена: 70 ₴