Транзистор FGA3060ADF
Наименование: FGA3060ADF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 176
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 60
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 7.6
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 19.2
Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 36
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 37.4
Тип корпуса: TO3PN
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 60 А |
| Максимальная мощность рассеивания | 176 Вт |
- Цена: 150 ₴


