Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 600
Гранично-допустима напруга колектор-емітер ⁇ Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива ⁇ Vge ⁇, V: 20
Максимальний постійний струм колектора ⁇ Ic ⁇ @25°C, A: 120
Напруга насичення колектор-емітер типова ⁇ VCE(sat) ⁇, V: 1.9
Максимальна порогова напруга затвор-емітер ⁇ VGE(th) ⁇, V: 6
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 175
Час наростання типове (tr), nS: 47
Ємність колектора типова (Cc), pf: 270
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 189
Тип корпусу: TO247
Основні | |
---|---|
Виробник | ON Semiconductor |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
- Ціна: 90 ₴