Найменування: FGH60N60SFD
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 378
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 120
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE (sat), V: 2.3
Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 6.5
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 42
Місткість колектора типова (Cc), pf: 350
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 198
Тип корпусу: ТО247
Основні | |
---|---|
Виробник | ON Semiconductor |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
- Ціна: 80 ₴