Найменування: FGH80N60FD
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 290
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 80
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.8
Максимальна порогова напруга затвора-емітер VGE(th), V: 7
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 56
Місткість колектора типова (Cc), pf: 200
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 120
Тип корпусу: ТО247
Основні | |
---|---|
Виробник | ON Semiconductor |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
Максимально допустимий струм колектора | 80 А |
Максимальна потужність розсіювання | 290 Вт |
- Ціна: 90 ₴