Найменування: FGA25N120ANTD
Тип транзизора: IGBT + Diode
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 312
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce, V: 1200
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 50
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE (sat), V: 2
Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 7.5
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типова (tr), nS: 60
Місткість колектора типова (Cc), pf: 130
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 200
Тип корпусу: TO3P
Основні | |
---|---|
Виробник | ON Semiconductor |
Максимально допустимий струм колектора | 50 А |
Максимальна потужність розсіювання | 312 Вт |
- Ціна: 45 ₴