Найменування: SGT60N60FD1P7
Тип транзизора: IGBT
Маркування: 60N60FD1
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 321
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 120
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE (sat), V: 2.2
Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 6.5
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типова (tr), nS: 142
Місткість колектора типова (Cc), pf: 294
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 179
Тип корпусу: TO247
Тип транзизора: IGBT
Маркування: 60N60FD1
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 321
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25°C, A: 120
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE (sat), V: 2.2
Максимальна порогова напруга затвор-емітер VGE(th), V: 6.5
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типова (tr), nS: 142
Місткість колектора типова (Cc), pf: 294
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 179
Тип корпусу: TO247
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan |
| Країна виробник | Китай |
| Тип транзистора | Польовий |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 120 А |
| Максимальна потужність розсіювання | 321 Вт |
Інформація для замовлення
- Ціна: 75 ₴


