Найменування: BT40T60ANF
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 280
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 80
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.8
Максимальна порогова напруга затвора-емітер VGE(th), V: 7
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 50
Ємність колектора типова (Cc), pf: 170
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 165
Тип корпуса: TO3P
Тип транзизора: IGBT
Тип керівного каналу: N
Максимальна розсіювана потужність (Pc), W: 280
Гранично-допустима напруга колектор-емітер Vce", V: 600
Максимально допустима напруга іміттер-закрива Vge, V: 20
Максимальний постійний струм колектора Ic @25 °C, A: 80
Напруга насичення колектор-емітер типова VCE(sat), V: 1.8
Максимальна порогова напруга затвора-емітер VGE(th), V: 7
Максимальна температура переходу (Tj), °C: 150
Час наростання типове (tr), nS: 50
Ємність колектора типова (Cc), pf: 170
Загальний заряд затвора (Qg), typ, nC: 165
Тип корпуса: TO3P
Характеристики
Основні | |
---|---|
Країна виробник | Китай |
Тип транзистора | Польовий |
Максимально допустима напруга колектор-емітер | 600 В |
Максимально допустимий струм колектора | 80 А |
Максимальна потужність розсіювання | 280 Вт |
Виробник | SAT |
Інформація для замовлення
- Ціна: 75 ₴